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(原标题:三星电子、SK海力士,时代不合!)
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起头:骨子抽象自荟萃,谢谢。
三星和SK海力士在EUV光刻时代限制分说念扬镳
三星专注于提升良率,而SK海力士则专注于恒久时代起初。
韩国两泰半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外(EUV)光刻时代上接纳了不同的策略,引起了业界的高度见谅。这一发展碰劲两家公司皆勇猛于增强其在高度动态和竞争强烈的半导体商场中的竞争力之际。
动作年终组织重组的一部分,三星电子在内行制造和基础顺序总辖下诞生了一个新的使命组(TF),名为“EUV Synergy TF”。此举被视为提升妙紧密半导体制造(举例 3 纳米 (nm) 代工场)良率的努力。EUV Synergy TF 的任务是监督 EUV 开发处置,重心是提升光刻和追踪开发的坐蓐率。该团队的缱绻是最大兑现地提升EUV光刻开发中使用的各式材料和组件的坐蓐率,其中包括ASML独家供应的价值200亿好意思元的光刻机和东京电子的EUV轨说念开发。
三星对 EUV 时代的愉快体当今其对 EUV 光刻机的大批投资。该公司已在其华城和平泽工场购买了 30 多台 EUV 光刻机。EUV 光刻使用 13.5 nm 波长的光将半导体电路印刷到晶圆上,关于坐蓐更小、更复杂的半导体电路至关热切。三星于 2019 年将 EUV 引入其代工工艺,尔后在提升其 10 纳米级第六代 DRAM 和低于 3 纳米代工场的良率方面面对挑战。
比较之下,SK海力士则接纳了不同的作念法。该公司在本年的组织重组中拆开了EUV TF,并将其并入将来时代计划院。此举突显了 SK 海力士对恒久时代起初的见谅,而不是目下产量的提升。SK 海力士于 2021 年运行将 EUV 诓骗于其 10 纳米级第四代 DRAM,目前在利川的 M16 工场运营着 10 多台 EUV 机器。
瞻望将来,SK海力士将来时代计划所权衡将重心准备推出下一代 EUV 光刻开发,即高数值孔径机器。SK海力士权衡最早将于来岁下半年收到其第一台高NA机器。这一战术漂泊突显了 SK 海力士勇猛于保执时代起初地位并为半导体制造的将来起初作念好准备。
NAND衰败时候,三星和SK海力士养精蓄锐降本
三星电子和SK海力士等国内存储器行业在NAND衰败时候实验“裁汰资本”投资策略。据了解,该公司最近运行勇猛于大幅减少留传NAND产量,同期将开工率较低的旧顺序编削为起初进的顺序。
据业内东说念主士近日自满,三星电子和SK海力士条款主要配合资伴在本年下半年对现存NAND顺序进行编削。
近来,由于PC和智高手机等IT需求低迷,NAND商场价钱呈下滑趋势。凭据商场计划公司Trend Force的数据,用于存储卡和USB的通用NAND闪存居品(128Gb 16Gx8 MLC)的平均固定交往价钱为2.16好意思元,环比下跌29.80%。
尤其是老款NAND,举例第7代,供应严重多余。除了IT需求下跌除外,日本Kiosia、中国厂商等其后者也加入了竞争。
第 7 代(V7)NAND 是存储存储器的单位堆叠成约 170 层的 NAND。NAND 性能跟着堆叠更多单位而提升。三星电子和SK海力士将从2021年底运行量产第7代NAND。
相应地,国内存储器行业裁汰了7代NAND的开工率,并条款配合资伴进行编削,将闲置的顺序用作8代和9代NAND的顺序。此外,还决定推迟或减少现存顶端NAND的新顺序投资计较。
https://zdnet.co.kr/view/?no=20241227095152
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